Características
- Tecnología: DDR3L SO-DIMM
- Densidad: 8 GB (8192 MB)
- RoHS: sí
- Pin Count: 204 pines
- Op. Temp .: 0C a + 85C
- Velocidad de datos: DDR3L-1600
- Velocidad: PC3-12800
- CL: 11
- Tiempo de ciclo: 1.875ns
- Voltaje: 1.35 V
- ECC: no ECC
- Rangos del módulo: Rango dual
- Registrarse: No paridad
- PCB de 8 capas de bajo ruido
- Cumple y / o excede las especificaciones de Apple / Intel
- Totalmente compatible con las especificaciones JEDEC
- Certificado RoHS
OWC1600DDR3S8GB
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